三.内存时序参数对性能的影响
根据在主板BIOS中内存时序参数设置菜单的不同，目前大多数超频玩家习惯把内存时序分为三部分。其中内存的第一时序从SDR SDRAM内存时代就已经被大家所熟知；第二时序则是在AMD的Athlon 64处理器崛起时被广大玩家所关注；第三部分的时序直到Ivy Bridge平台普及才被重视。
1、第一时序。

内存的第一时序包括：CL、tRCD、tRP、tRAS等四个参数，其具体含义分别为：
①CL：CAS Latency，内存CAS延迟时间，表示从内存收到CPU的读取/写入指令到读取/写入数据结束的响应时间。
②tRCD ：RAS－to－CAS Delay，内存行地址传输到列地址的延迟时间。内存中的数据就好比存放在一个有行有列的表格里面，当内存要读写某个地址的数据时，就需要确定它在第几行第几列，而内存会首先发送一个行地址信号（RAS），再发送一个列地址信号（CAS），这两个信号发送的时间间隔就是tRCD。
③tRP ：RAS Precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电时间，也就是内存从完成一个指令处理到下一个指令处理开始前的最短时间周期。
④tRAS ：Row Active Delay，内存行地址选通延迟，指的是从内存接到一个新指令到激活内存地址的间隔时间。
其中CL、tRCD对内存性能的影响很大，而tRP、tRAS对性能的影响较小。尔必达（ELPIDA）颗粒、美光颗粒的特点都是CL、tRCD、tRP三个参数能够保持在一致的较低时序下，例如一些体质好的内存在超过2133MHz的频率之后依然能够保持8-8-8-24@1.65V的时序。力晶颗粒的特点是CL、tRP可以降至很低，但tRCD则要明显高于CL、tRP很多，例如体质好的可以运行在2133MHz（7-10-7-27@1.65V）。三星与海力士（SKhynix）颗粒的特点是高频下tRCD、tRP略高于CL，例如超频2400MHz时的时序大多都是10-12-12-31@1.65V。
2、第二时序：

在内存频率、时序对性能的影响方面，相同的时序参数下，频率自然是越高越好，但是当频率超过2400以后，往往需要放宽部分的时序参数来换取高频下的稳定性。因此不要盲目的追求高频，在实际操作中我们需要寻找一个最为合理的平衡点。针对目前大部分超频内存而言，2400～2666是一个较为理想的平衡点，在这个区间内往往可以获得频率、时序、电压与性能都比较均衡的最合理超频方案。在这个范围以外的情况下，2400以内频率优先，2666以上时序优先。
第三时序：

第三时序中对性能影响最大的是tRDRD和tWRWR。当内存频率小于2133MHz时，第三时序对性能的影响非常小。Ivy Bridge、Haswell处理器的IMC已经普遍能够支持超过2400MHz的内存，因此在上述两个平台上第三时序的重要性凸显。当内存频率超过2400MHz之后，tRDRD和tWRWR对内存带宽的影响非常大，这两个参数的最小值为4个周期，每加1个周期，内存读写性能就会出现较大幅度的下降，每放大一个周期内存带宽大约下降10%～15%。内存频率达到2800MHz之后这两个小参往往要放大到6个周期，性能上会有较大的损失，因此牺牲tRDRD和tWRWR换取超高频的做法是不可取的。其余第三时许的各个小参对性能影响不大，一般全部设置为Auto即可。