溅射镀膜
溅射镀膜：是指在真空室中，利用荷能粒子轰击镀料表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。
定义
用一定能量的离子轰击靶材使靶材分子脱离其表面，并使靶材分子输运到衬底上成膜的方法
优点
任何物质均可用沉积 薄膜与衬底的附着力好
溅射镀膜密度高，针孔少，且膜层的纯度较高 膜厚可控性和重复性好 需要高纯溅射气体
典型工作气压为0.1mTorr-10mTorr
较短的平均自由程
缺点 设备复杂，需要高压装置，沉积速率较低

离子镀膜
离子镀就是在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层的镀膜技术。离子轰击的目的在于改善膜层的性能。离子镀是镀膜与离子轰击改性同时进行的镀膜过程。
无论是蒸镀还是溅射都可以发展成为离子镀。
在磁控溅射时，将基片与真空室绝缘，再加上数百伏的负偏压，即有能量为100eV量级的离子向基片轰击，从而实现离子镀。
离子镀的原理
离子轰击，确切说应该既有离子又有原子的粒子轰击。粒子中不但有氩粒子，还有镀料粒子，在镀膜初期还会有由基片表面溅射出来的基材粒子。
离子镀也可以在蒸镀的基础上实现，例如在真空室内通入1Pa量级的氩气后，在基片上加上1000V以上的负偏压，即可产生辉光放电，并有能量为数百电子伏的离子轰击基片，这就是二极离子镀。（我们的AS AR机台在离子轰击的时候充入的是Ar所以会产生蓝色光； 之前我接触的机台在离子轰击的时候充入得是氮气所以产生紫色光）当然冲入气体的不同产生的光会不同。
对于真空蒸镀、溅射、离子镀三种不同的镀膜技术，入射到基片上的每个沉积粒子所带的能量是不同的。热蒸镀原子大约0.2eV，溅射原子大约1-50eV，离子镀中轰击离子大概有几百到几千eV。

化学气相沉积（CVD）
定义：在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。
区别：化学气相沉积过程的基本步骤与物理气相沉积不同的是，沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。这种镀膜方式是一种化学反应
化学气相沉积（CVD）的主要缺点 沉积温度高（900～1200℃），超过了许多任务模具的常规热处理温度，因此镀覆之后还需进行二次热处理，不仅引起基材的变形与开裂，也使镀层的性能下降。