之前老吴的帖子里说了以后用建兴(浦科特)和Phison(群联)，那么那些“杂牌固态”只能是群联的了，群联是ONFI (Open NAND Flash Interface) 的创始人之一，目前NAND闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营。
ONFI接口标准
ONFI（Open NAND Flash Interface）标准是由英特尔，镁光，海力士，台湾群联电子(杂牌？呵呵。)，SanDisk， 索尼，飞索半导体为首宣布统一制定的连接NAND闪存和控制芯片的接口标准，当初制定ONFI标准的主要目的是统一当时混乱的闪存标准。
ONFI 1.0制定于2006年12月，内容主要是制定闪存的物理接口、封装、工作机制、控制指令、寄存器等规范，增加对ECC的支持，传输带宽从传统的Legacy接口的40MB/s提升到50MB/s，性能提升幅度不大，不过其主要目的还是统一闪存接口规范，减轻产品厂商的开发压力。
ONFI 2.0标准诞生于2008年2月，2.0标准将带宽速度提高到133MB/s以满足高速设备对闪存性能的需求，在该版本中，主要是通过两项技术来提高传输速度。第一项就是在DRAM领域里常用的DDR(Double Data Rate，双倍数据率)信号技术。第二项是使用源同步时钟来精确控制锁存信号，使其能够达到更高的工作频率。
ONFI 2.1标准于2009年1月发布，带宽提升到166MB/s和200MB/s（工作模式不同速度不同），8KB page数据传输延时降低，改良电源管理降低写入操作能耗，加强ECC纠错能力，新增“Small Data Move”与“Change Row Address”指令。
ONFI 2.2发表于2009年10月，增加了LUN（逻辑单元号）重置、增强页编程寄存器的清除和新的ICC测量和规范。LUN重置和页编程寄存器清除提升了拥有多个NAND闪存芯片设备的处理效率，ICC规范则简化了下游厂家的测试程序。
ONFI 2.3在2010年8月的闪存峰会上发布，在2.2标准的基础上加入了EZ-NAND协议。EZ-NAND是Error Zero NAND的简写，这一协议将NAND闪存的纠错码管理由主控芯片中转移到闪存自身，以减轻主控芯片负担。
现在ONFI标准应该是3.0了。
三星与东芝的ToggleDDR阵营
面对ONFI组织的攻势，占有全球70% NAND产能的两大闪存生产巨头三星与东芝决定携手对抗，2007年12月，三星与东芝联合通过了一项关于闪存专利技术互换授权协议，根据这项协议，三星电子和东芝在闪存规格和技术上将完全共享。
根据项协议规定，三星将允许东芝生产和制造自己旗下的OneNAND和Flex-OneNAND闪存芯片，而东芝公司则将以自己的LBA-NAND和mobileLBA-NAND闪存芯片技术作为条件与三星电子进行交换，这些闪存芯片生产技术都是三星电子和东芝的核心技术，但是新的合作协议让双方在闪存芯片制造技术实力上都取得了进一步的增强，此外他们将一同合作研发新一代闪存产品，也就是后来的Toggle DDR NAND闪存。
2010年6月三星与东芝开始投产符合Toggle DDR 1.0接口标准的NAND闪存，Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作，信号的上升与下降沿都可以进行资料的传输，能使传输速度翻倍，接口带宽为133MB/s，而且没有内置同步时钟发生器（即NAND还是异步设计），因此其功耗会比同步NAND更低。
神舟用的Phison应该是新产品，所以查不到具体型号，过短时间等软件更新了应该就能查看更加详细的信息了，下图是群联SSD的具体信息，神舟的不出以外就是其中一个了。
总的来说这个牌子的固态还是可以的，比什么金泰克，金速，影驰虎将之流还是好的多的，NADA也不会用百片，黑片之类的。
K660E好像没说具体用什么型号的固态吧，只说用哪两个牌子的，拿到M6M只能说是运气好，拿不到很正常，有人用8块固态做过实验了，只要跑分300以上实际使用中完全感觉不到太大差别，不需要太过纠结，神舟怎么说也是要赚钱的，不赚钱公司怎么运营下去？
ONFI接口标准
ONFI（Open NAND Flash Interface）标准是由英特尔，镁光，海力士，台湾群联电子(杂牌？呵呵。)，SanDisk， 索尼，飞索半导体为首宣布统一制定的连接NAND闪存和控制芯片的接口标准，当初制定ONFI标准的主要目的是统一当时混乱的闪存标准。
ONFI 1.0制定于2006年12月，内容主要是制定闪存的物理接口、封装、工作机制、控制指令、寄存器等规范，增加对ECC的支持，传输带宽从传统的Legacy接口的40MB/s提升到50MB/s，性能提升幅度不大，不过其主要目的还是统一闪存接口规范，减轻产品厂商的开发压力。
ONFI 2.0标准诞生于2008年2月，2.0标准将带宽速度提高到133MB/s以满足高速设备对闪存性能的需求，在该版本中，主要是通过两项技术来提高传输速度。第一项就是在DRAM领域里常用的DDR(Double Data Rate，双倍数据率)信号技术。第二项是使用源同步时钟来精确控制锁存信号，使其能够达到更高的工作频率。
ONFI 2.1标准于2009年1月发布，带宽提升到166MB/s和200MB/s（工作模式不同速度不同），8KB page数据传输延时降低，改良电源管理降低写入操作能耗，加强ECC纠错能力，新增“Small Data Move”与“Change Row Address”指令。
ONFI 2.2发表于2009年10月，增加了LUN（逻辑单元号）重置、增强页编程寄存器的清除和新的ICC测量和规范。LUN重置和页编程寄存器清除提升了拥有多个NAND闪存芯片设备的处理效率，ICC规范则简化了下游厂家的测试程序。
ONFI 2.3在2010年8月的闪存峰会上发布，在2.2标准的基础上加入了EZ-NAND协议。EZ-NAND是Error Zero NAND的简写，这一协议将NAND闪存的纠错码管理由主控芯片中转移到闪存自身，以减轻主控芯片负担。
现在ONFI标准应该是3.0了。
三星与东芝的ToggleDDR阵营
面对ONFI组织的攻势，占有全球70% NAND产能的两大闪存生产巨头三星与东芝决定携手对抗，2007年12月，三星与东芝联合通过了一项关于闪存专利技术互换授权协议，根据这项协议，三星电子和东芝在闪存规格和技术上将完全共享。
根据项协议规定，三星将允许东芝生产和制造自己旗下的OneNAND和Flex-OneNAND闪存芯片，而东芝公司则将以自己的LBA-NAND和mobileLBA-NAND闪存芯片技术作为条件与三星电子进行交换，这些闪存芯片生产技术都是三星电子和东芝的核心技术，但是新的合作协议让双方在闪存芯片制造技术实力上都取得了进一步的增强，此外他们将一同合作研发新一代闪存产品，也就是后来的Toggle DDR NAND闪存。
2010年6月三星与东芝开始投产符合Toggle DDR 1.0接口标准的NAND闪存，Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作，信号的上升与下降沿都可以进行资料的传输，能使传输速度翻倍，接口带宽为133MB/s，而且没有内置同步时钟发生器（即NAND还是异步设计），因此其功耗会比同步NAND更低。
神舟用的Phison应该是新产品，所以查不到具体型号，过短时间等软件更新了应该就能查看更加详细的信息了，下图是群联SSD的具体信息，神舟的不出以外就是其中一个了。
总的来说这个牌子的固态还是可以的，比什么金泰克，金速，影驰虎将之流还是好的多的，NADA也不会用百片，黑片之类的。
K660E好像没说具体用什么型号的固态吧，只说用哪两个牌子的，拿到M6M只能说是运气好，拿不到很正常，有人用8块固态做过实验了，只要跑分300以上实际使用中完全感觉不到太大差别，不需要太过纠结，神舟怎么说也是要赚钱的，不赚钱公司怎么运营下去？
