物理构成
NAND Flash 的数据是以 bit 的方式保存在 memory cell，一般来说，一个 cell 中只能存储一个 bit(即
SLC 类型的NAND)。这些 cell 以8个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的 byte(x8)或 word(x16)，
这就是 NAND Device 的位宽。这些 Line 会再组成 Page，(NAND Flash 有多种结构，以 NAND Flash 是
K9F1208为例,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，
每 32 个 page 形成一个 Block(32*528B)。具体一片 flash 上有多少个 Block 视需要所定。使用的三星
k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096* （32*528B） =66MB，但是其中的2MB是用来保存 ECC
校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。

NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类
地址：Column Address(Starting Address of the Register)列地址，地址的低 8位；Page Address：页地址；
Block Address：块地址；对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在 I/O[7:0]上传递，数据宽度是 8 位。