本人开贴，大二自学模电！有兴趣一起学的朋友请进！！

本人会在明天更新1.1节半导体知识。含本征半导体，杂质半导体，PN结。

大二就学了呀

PN结的正反向偏置——三极管（BJT）有放大作用

来看看

支持吧主

支持LZ 只不过大一苦逼在自学C

第一次更新：1.1半导体基础知识
概念性的东西：
！本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。
导电性介于导体与绝缘体之间。半导体导电具有特殊性。
然后就是理解下半导体在导电时的两种载流子,空穴和电子。
半导体材料还对温度具有敏感性，它具有双面性，一是制作一些热敏和光敏元件，二会造成半导体温度稳定性差的原因。
！杂质半导体：在本征半导体中掺入合适的杂质元素便可得到杂质半导体。
杂质半导体又可分为P型和N型，N型是掺入了+5价的杂质（磷），然后由于施电子比较多，多子为电子，电子带负电，负（Negative 也为消极）因此得名。P型是掺入+3价的杂质，然后产生的多子为空穴，空穴是正电，正（Positive 也为积极）因此得名，但是杂质半导体本身是呈电中性的！！
！PN结，P型半导体和N型半导体制作在同一片硅片上，交界处就形成了PN结。其具有单向导电性、内电场从N-->P（想想N中靠近P的电子都和P靠近N的空穴因扩散而复合，然后PN结的N中只剩下阳离子了带正电，P中失去空穴后剩下阴离子了，然后然后..你懂得）PN结正向电压就是使空间耗尽层变窄从P-->N。PN结PN结记住正向是从P到N就行。
！PN结中的扩散运动和飘移运动：多子相互渗入成为扩散，少子在内电场的作用下，产生漂移运动。当二者运动达到动态平衡，就形成了PN结。
！学习的时候要记住PN结的伏安特性曲线，这个有必要。
！PN结的两种反向击穿：齐纳击穿和雪崩击穿。
！两种电容效应：势垒电容和扩散电容。
第一小节确实概念性比价多，理解类的东西比较少，需要静下心来好好梳理清楚。一开始接触可能感觉繁杂，但是要坚持。主要就是讲PN结的形成和PN结的一些特性，下午更新半导体二极管。

会常来看看的，大一荒废了，以前没自学过，C和高数看来得自学了，LZ加油。

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