微固学院的

材料物理教程 电子科技大学出版社 绝版了

都是复印的

我问个问题，急求答案，望知情者告知
10年微电子器件简答题第4小题问：在缓变基区npn晶体管中，从发射结到集电结，掺杂浓度由高到低的晶体管基区输运系数大还是由低到高的晶体管基区输运系数大？
答案给的是从低到高的大，但我查阅课本，自己推理都认为掺杂浓度由高到低的能形成对少子的加速电场，基区输运系数大。是我错了，还是答案错了。请知情者告诉详细答案
pnp的又怎么样？