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4大功率射频晶体管,一般用于雷达等国防射频器件上 IGNP0450M850 IGNMP0912CW150 IGNP0912L1KW IBP1011L900 IGNP1011L2400 IGNP1011M1600 IBP1214M700 IGNP1214M1200 IGNP1214M1KW-GPS ILP1214EL200 IBP2226M300 IBP2729M300 IBP2729MH300 IGNP2729M1KW-GPS IGNP2729M800 IGNP2730M380 IBP2731M200 IBP2731MH200 IGNP2731M400-GPS ILMP2731M260 ILP2731M260 IBP2931M300 IBP2931MH270 IBP2934M190 IBP3134M220 IBP3134M25 IBP3135M150 IBP3135MH200 ILMP3135M240 ILP3135M240 IGNP3135M500 IGT5259CW25 IGT2729M300 IGT2731L120 IGT2731M130 ILT2731M130 ILT2731M15 ILT2731M30 ILT3035M15 ILT3035M30 IGT3135L100 IGT3135
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00Hi3516CV610-20S Hi3519DV500 Hi3521DV200 Hi3516CV610-00S Hi3519AV200 HI3516CV610-10 Hi3520DV510 Hi3536AV100 Hi3403V100 Hi3516DV500 Hi3531DV20003345110001000有船舶 海工,压力容器,矿山港口机械 监造检验的朋友来找我1压力容器无损检测是指在不破坏容器的情况下,利用一些物理原理和技术手段来检测容器内部是否存在缺陷、裂纹、腐蚀等问题,以确保容器的安全可靠运行。本文收集整理了一些资料,期望能对各位读者有比较大的参阅价值。 常用的无损检测技术包括 超声波检测:利用超声波在物体内部的传播特性来检测容器内部的缺陷和裂纹,适用于金属、非金属和复合材料容器的检测。 X射线检测:利用X射线穿透物体的特性来检测容器内部的缺陷、裂纹和壳体2国产充电枪哪些知名的牌子?372900009他在市场骗了好多年了,收了货款不发货,也不还你,找法院都没用0铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征:120V,200ARDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V TYP:5.0mΩRDS(ON)<7.5mΩ@VGS=6V TYP:6.5mΩ先进的沟槽电池设计低热阻 应用:电机驱动器直流-直流转换器90电子元件采购,有货的可以私聊,欢迎咨询!86需要找些现货供应商,有现货的留下你们的Q00描述: AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作 该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征: VDS=30V ID =180A RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V (Type:2.1mΩ) 应用: 电池保护 负载开关 不间断电源000AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征:650V,7ARDS(ON)<1.35Ω@VGS=10V TYP:1.1Ω快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt能力应用:开关模式电源(SMPS)不间断电源(UPS)功率因数校正(PFC)PWM应用00APA65R640FM 超结功率场效应晶体管特征: 650V,7A RDS(ON)<640mΩ@VGS=10V TYP:523mΩ 先进的超结技术 极低导通电阻 应用: 功率因子校正(PFC) 开关模式电源(SMPS) 不间断电源(UPS) LED照明电源9PCB电路板打样,PCB电路板生产厂家,汇合电路 电:178760105500AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET描述:AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用特征:VDS = 30V ID =100 ARDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V (Type:4.5mΩ)应用:电池保护负载开关不间断电源000191公司发展需要 电子元件需求增加 有意向的供应商可以留下联系方式。000000